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22.02.2017 - Fachartikel - Elektrotechnik
MSC Technologies stellt kompakten DC-DC-Konverter von YDS für Gate Drive-Applikationen vor
MSC Technologies, ein Unternehmen der Avnet Inc. (NYSE: AVT), präsentiert den neuen DC-DC Konverter 17D-18D0618NA3KV von Yuan Dean Scientific (YDS), der speziell für Mosfet & IGBT Gate-Ansteuerungsaufgaben ausgelegt ist.
Der 3 W-Konverter ist in einem platzsparenden 7 Pin Single-Inline-Gehäuse mit einer Eingangsspannung von 18 VDC ± 10 % und einem Dualausgang von 18 VDC/85 mA und -6 V/250 mA untergebracht. Die Isolationsfestigkeit (primär/sekundär) beträgt 3 kV (2 s/0,5 mA).
Im Vergleich zu DC-DC-Konvertern für Standardanwendungen müssen Wandler für Mosfet- und IGBT Gate-Ansteuerungen höhere Anforderungen erfüllen. Unabhängig von der Basistechnologie - Standard-Silizium oder Silizium-Carbid - gelten für die Auswahl der Konverter andere Kriterien: Durch die spezielle Charakteristik der SiC-Transistoren mit sehr niedrigen Durchbruchspannungen ist es für eine schnelle und sichere Abschaltung wichtig, mit einem starken negativen Spannungspuls aus- und mit starkem positiven Puls wieder einzuschalten. Nur so lassen sich die Vorteile der Effizienz der SiC-Technologie auch ausschöpfen. Diese Spannungen muss der Wandler zuverlässig mit der erforderlichen Geschwindigkeit bereitstellen können.
Die schnellen dv/dt-Spannungshübe und die hohen Frequenzen in Transistor-Ansteuerschaltungen bedeuten einen höheren Stress für die Wandler verglichen mit Industrie- oder Consumer-Standardanwendungen. Für die Zuverlässigkeit ist es daher notwendig, den Wandler mit niedrigen Koppelkapazitäten und hoher Isolationsspannung zu designen.
Aufgrund der starken R&D-Ausrichtung und seiner hohen Flexibilität kann YDS kundenspezifische Anpassungen der elektrischen Parameter umsetzen und damit individuelle Applikationsanforderungen erfüllen.
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